導語
在先前推出的芯片産業鏈系列文(wén)章中，我們爲大(dà)家詳細梳理(lǐ)了(le)芯片産業鏈上(shàng)各個環節，以及各環節上(shàng)的主要企業（有需要預習的同學請(qǐng)移步文(wén)末鏈接）。
整個芯片産業鏈可分爲設計(jì)、制造、封測三大(dà)環節，再輔以所需的EDA軟件、半導體設備與半導體材料。
我們在産業界常見，芯片行業研究邏輯多以水(shuǐ)平分類上(shàng)對(duì)不同種類的半導體産品企切入，MCU、模拟芯片、IGBT、第三代半導體等概念或名詞常常成爲大(dà)衆投資者的認知(zhī)盲區(qū)。
針對(duì)讀者的反饋，我們推出半導體的新系列文(wén)章旨在直接從(cóng)産品角度，打破認知(zhī)界限。用(yòng)最專業的理(lǐ)解、最通俗的語言爲大(dà)家解讀半導體行業，緻力于幫您發掘熱門(mén)賽道(dào)的“隐藏款”。
問題：數字芯片和(hé)邏輯芯片有何不同？
實際上(shàng)，從(cóng)産業研究角度，要解決這(zhè)個問題首先要将半導體的分類方法捋明(míng)白(bái)，大(dà)量研究資料及資訊存在定義不明(míng)晰、不加以說明(míng)解釋的現(xiàn)象，造成概念使用(yòng)與分類存在混亂，我們在此嘗試爲大(dà)家厘清半導體常見的分類：
半導體依照處理(lǐ)信号種類的不同可分爲數字芯片與模拟芯片——數字芯片處理(lǐ)0和(hé)1等離散的數字信号，模拟芯片則處理(lǐ)溫度、濕度、壓強等連續信号。
随着半導體技術的發展，大(dà)多數芯片兩種信号均能(néng)處理(lǐ)，區(qū)别在于處理(lǐ)哪種信号較多；
依照襯底材料的不同可分爲第一、第二、第三代半導體，第一代半導體以矽鍺材料作(zuò)爲襯底材料，應用(yòng)最爲廣泛，第三代半導體則以氮化镓（GaN）和(hé)碳化矽（SiC）作(zuò)爲襯底材料；
依照規格劃分可分爲軍用(yòng)級、車規級、工(gōng)業級、民用(yòng)級半導體，它們具有不同的溫度适應能(néng)力與抗幹擾能(néng)力。
而我們最常見的邏輯芯片、功率半導體、MCU等概念是半導體依照功能(néng)場景爲标準劃分的細分品類。一顆芯片可能(néng)既是數字芯片，也(yě)是邏輯芯片，兩者描述的側重點不同，前者側重于描述其處理(lǐ)的信号類型，而後者側重于描述其功能(néng)。
世界半導體貿易統計(jì)組織（WSTS）将所有半導體按照結構功能(néng)劃分爲集成電路、分立器件、光電子器件與傳感器四大(dà)類。後續系列文(wén)章将分别對(duì)它們進行詳細介紹。
集成電路簡稱IC（Integrated Circuit），是采用(yòng)一定的工(gōng)藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容等元件集成在半導體晶圓上(shàng)，成爲具有所需電路功能(néng)的微型結構，占全球半導體市場份額的83%。
集成電路可進一步細分爲承擔計(jì)算(suàn)功能(néng)的邏輯芯片、承擔存儲功能(néng)的存儲芯片，承擔傳輸與能(néng)源供給功能(néng)的模拟芯片以及将運算(suàn)、存儲等功能(néng)集成于一個芯片之上(shàng)的微控制單元（MCU），它們的市場份額分别占到(dào)半導體總體市場份額的22.41%、22.41%、10.79%、13.28%，邏輯芯片與存儲芯片占比較高(gāo)。
分立器件則是内部沒有集成的普通電阻、電容、晶體管等電子元件，是最早出現(xiàn)的半導體器件。我們的理(lǐ)解是在分立器件的發展過程中，随着半導體制造技術的發展，适合集成在芯片之中的分立器件演化爲集成電路，而一些(xiē)不适合集成于芯片之中的則還是以分立器件的形式保留至今。
人們熟知(zhī)的二極管、三極管、晶體管、MOSFET（金(jīn)氧半場效晶體管）與IGBT（絕緣栅雙極型晶體管）都屬于分立器件，分立器件依據功率的标準細分爲功率器件與小(xiǎo)信号器件，廣泛運用(yòng)于整流、穩壓、保護、開(kāi)關等功能(néng)，市場份額約占半導體總市場份額的5%。
光電子器件則是利用(yòng)光-電子轉換效應制成的各種功能(néng)器件，代表器件有LED（發光二極管）、LD（激光二極管）與光電探測器，部分資料将其歸爲分立器件的一個細分種類，應用(yòng)于醫(yī)學檢測透視(shì)、紅(hóng)外(wài)探測、光電瞄具等領域，市場份額約占半導體總市場份額的9%。
傳感器是能(néng)敏銳的感知(zhī)物理(lǐ)、化學、生物信息并将它們轉化爲電信息的電子元件，代表器件有MEMS（微機電系統）、CMOS圖像傳感器，主要應用(yòng)于工(gōng)控、遙測、家電等領域，市場份額約占半導體總市場份額的3%。
有興趣對(duì)以上(shàng)各類半導體進行更詳細了(le)解的小(xiǎo)夥伴請(qǐng)繼續關注本系列文(wén)章~
兩個易混概念
最後我們再簡單解釋下(xià)近期發現(xiàn)的的兩個誤區(qū)：
l晶體管尺寸VS矽片尺寸
制程工(gōng)藝中的14nm、7nm等說法指的是集成于芯片之上(shàng)的晶體管的大(dà)小(xiǎo)，制程工(gōng)藝越先進意味着集成于芯片之上(shàng)的晶體管越小(xiǎo)，同樣大(dà)小(xiǎo)的晶圓上(shàng)可集成的晶體管越多，性能(néng)更爲強大(dà)。
而12英寸、8英寸晶圓指的是半導體原材料矽晶圓的尺寸，晶圓尺寸越大(dà)，同一片晶圓能(néng)夠提供的芯片數量越多，生産成本越低(dī)。
l刻蝕機VS光刻機
國内半導體設備制造商中微半導體2021年宣布即将研制成功能(néng)夠制作(zuò)5nm芯片制程的刻蝕機，消息經大(dà)量媒體添油加醋，以訛傳訛最終變爲中微半導體已掌握5nm制程芯片制造技術，即将超過台積電。
晶圓制造流程分爲光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入等工(gōng)序，中微半導體爲半導體設備提供商，僅提供刻蝕環節所需的刻蝕設備。晶圓制造過程中最關鍵的設備爲光刻機，上(shàng)海微電子正在進行28nm制程芯片所需光刻機的研發，尚未成功。